RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3044
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link