RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3473
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link