RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2991
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link