RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3665
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link