RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2979
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-058.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Jinyu 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link