RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
68
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
68
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2037
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9LZ 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link