RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3606
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link