RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
77
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2286
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link