RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3151
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link