RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
77
Wokół strony -175% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3786
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link