RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
17.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3786
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link