RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
17.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
17.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3786
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparações de RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link