RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
72
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
72
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1682
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link