RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2312
3890
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link