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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
13.7
19.5
写入速度,GB/s
9.6
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3890
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
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