RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3686
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link