RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
63
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2155
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link