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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
63
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
35
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2155
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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