STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

-->

Средняя оценка

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Средняя оценка

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 13.5

Среднее значение в тестах

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 63

Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи

10.3 1,447.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 35
Скорость чтения, Гб/сек

3,231.0 13.5
Скорость записи, Гб/сек

1,447.3 10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

478 2155

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

Kingston 99U5700-027.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

Apacer Technology GD2.111881.002 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB

Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM