RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
63
Около -80% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
2155
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link