RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
53
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
53
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2440
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link