RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2635
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link