RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2104
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link