Comparaison de la RAM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Note globale

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.9 7.4

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 40

Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.2 12.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 12800

Autour de 1.5 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1789 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns