RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.9
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.9
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2104
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link