RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3483
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GR7AFR8C-RD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link