RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3637
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link