RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
14.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3637
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link