RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3262
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link