RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3262
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
CompuStocx (CSX) 2GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Mushkin 991586 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link