RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB против Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2251
2316
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link