RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3925
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link