RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3221
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-6400PHU1-1GBHZ 1GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link