RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3559
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link