RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3140
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link