RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3140
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link