RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3140
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link