RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3596
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link