RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
46
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.1
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3596
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link