RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
67
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
67
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1895
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link