RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
60
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
1881
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link