RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
60
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,168.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
39
Скорость чтения, Гб/сек
4,595.2
11.5
Скорость записи, Гб/сек
2,168.2
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
941
1881
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link