RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
60
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1881
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link