RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
46
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
20
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3327
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link