RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
48
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
18
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3650
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link