RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3247
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link