RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2937
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link