RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2826
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link