RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2443
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link