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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
39
Velocità di lettura, GB/s
11.8
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2443
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
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