RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2595
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link